15 tulosta
Siirry sisältöön
JUULI
Julkaisutietoportaali
Kaikki kentät
Nimeke
Tekijä
ISBN/ISSN
Sarja
Julkaisija
Hae
Tarkennettu
Suomi
Svenska
English
Kaikki kentät
Nimeke
Tekijä
ISBN/ISSN
Sarja
Julkaisija
Hae
Tarkennettu
Tekijä
Prozheeva, Vera
Näytetään
1
-
15
yhteensä
15
osumasta haulle:
'Prozheeva, Vera'
, hakuaika: 0,06s
Järjestä
Nimeke
Tekijä
julkaisufoorumiluokka
Relevanssi
Aika (uusimmat ensin)
Aika (vanhimmat ensin)
Luokka
1
Amphoteric Be in GaN Experimental Evidence for Switching between Substitutional and Interstitial Lattice Sites
Tuomisto, Filip
;
Prozheeva, Vera
;
Makkonen, Ilja
; Myers, Thomas H.; Bockowski, Michal; Teisseyre, Henryk
PHYSICAL REVIEW LETTERS, American Physical Society, 2017
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
“
...Tuomisto, Filip;
Prozheeva
,
Vera
; Makkonen, Ilja; Myers, Thomas H.; Bockowski, Michal; Teisseyre...
”
Hae kokoteksti
Hae kokoteksti
2
Cation vacancies and electrical compensation in Sb-doped thin-film SnO₂ and ZnO
Korhonen, Esa
; Prozheeva, V.; Tuomisto, F.; Bierwagen, O.; Speck, J.S.; White, M.E.; Galazka, Z.; Liu, H.; Izyumskaya, N.; Özgür, U.; Morkoç, H.
Semiconductor Science and Technology, IOP Publishing Ltd., 2015
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
Tekijät:
';
“
...
Prozheeva
,
Vera
...
”
Hae kokoteksti
3
Effects of alloy composition and Si-doping on vacancy defect formation in (InₓGa₁₋ ₓ)₂O₃ thin films
Prozheeva, V.; Hölldobler, R.; Von Wenckstern, H.; Grundmann, M.; Tuomisto, F.
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2018
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
Tekijät:
';
“
...
Prozheeva
,
Vera
...
”
Hae kokoteksti
Hae kokoteksti
4
Evaluation of the concentration of point defects in GaN
Reshchikov, M. A.; Usikov, A.; Helava, H.; Makarov, Yu N.; Prozheeva, V.; Makkonen, I.; Tuomisto, F.; Leach, J. H.; Udwary, K.
Scientific Reports, Nature Publishing Group, 2017
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
Tekijät:
';
“
...
Prozheeva
,
Vera
...
”
Hae kokoteksti
Hae kokoteksti
5
Ga vacancies and electrical compensation in β-Ga ₂ O ₃ thin films studied with positron annihilation spectroscopy
Tuomisto, Filip
;
Karjalainen, Antti
;
Prozheeva, Vera
;
Makkonen, Ilja
; Wagner, Gunter; Baldini, Michele
Proceedings of SPIE, SPIE, 2019
A4 Artikkeli konferenssijulkaisussa
“
...Tuomisto, Filip; Karjalainen, Antti;
Prozheeva
,
Vera
; Makkonen, Ilja; Wagner, Gunter; Baldini...
”
Hae kokoteksti
Hae kokoteksti
6
Identification of vacancy defect complexes in transparent semiconducting oxides ZnO, In₂O₃ and SnO₂
Makkonen, Ilja
;
Korhonen, Esa
;
Prozheeva, Vera
;
Tuomisto, Filip
Journal of physics: Condensed matter, IOP Publishing Ltd., 2016
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
“
...Makkonen, Ilja; Korhonen, Esa;
Prozheeva
,
Vera
; Tuomisto, Filip...
”
Hae kokoteksti
Hae kokoteksti
7
Interfacial N Vacancies in GaN/(Al,Ga)N/GaN Heterostructures
Prozheeva, Vera
;
Makkonen, Ilja
; Li, Haoran; Keller, Stacia; Mishra, Umesh K.;
Tuomisto, Filip
physical review applied, 2020
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
“
...
Prozheeva
,
Vera
; Makkonen, Ilja; Li, Haoran; Keller, Stacia; Mishra, Umesh K.; Tuomisto, Filip...
”
Hae kokoteksti
Hae kokoteksti
Hae kokoteksti
8
Point defects in oxide and nitride compounds, alloys and heterostructures
Tekijä:
Prozheeva, Vera
Aalto University, 2020
G5 Artikkeliväitöskirja
“
...
Prozheeva
,
Vera
...
”
Hae kokoteksti
9
Radiation-induced alloy rearrangement in InₓGa₁₋ ₓN
Prozheeva, V.; Makkonen, I.; Cuscó, R.; Artús, L.; Dadgar, A.; Plazaola, F.; Tuomisto, F.
APPLIED PHYSICS LETTERS, AMER INST PHYSICS, 2017
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
Tekijät:
';
“
...
Prozheeva
,
Vera
...
”
Hae kokoteksti
Hae kokoteksti
10
Split Ga vacancies and the unusually strong anisotropy of positron annihilation spectra in beta-Ga2O3
Karjalainen, Antti
;
Prozheeva, Vera
;
Simula, Kristoffer
;
Makkonen, Ilja
; Callewaert, Vincent; Varley, Joel B.;
Tuomisto, Filip
physical review b, 2020
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
“
...Karjalainen, Antti;
Prozheeva
,
Vera
; Simula, Kristoffer; Makkonen, Ilja; Callewaert, Vincent...
”
Hae kokoteksti
Hae kokoteksti
Hae kokoteksti
11
Structural, optical, and electrical properties of orthorhombic κ -(In ₓ Ga ₁₋ₓ ) ₂ O ₃ thin films
Hassa, A.; Von Wenckstern, H.; Splith, D.; Sturm, C.; Kneiß, M.; Prozheeva, V.; Grundmann, M.
APL Materials, American Institute of Physics, 2019
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
Tekijät:
';
“
...
Prozheeva
,
Vera
...
”
Hae kokoteksti
Hae kokoteksti
12
Subsurface damage in polishing-annealing processed ZnO substrates
Prozheeva, V.; Johansen, K. M.; Neuvonen, P. T.; Zubiaga, A.; Vines, L.; Kuznetzov, A. Yu; Tuomisto, F.
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Elsevier Limited, 2017
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
Tekijät:
';
“
...
Prozheeva
,
Vera
...
”
Hae kokoteksti
Hae kokoteksti
13
Ti
Sr
antisite An abundant point defect in SrTiO₃
Karjalainen, Antti
;
Prozheeva, Vera
;
Makkonen, Ilja
; Guguschev, Christo; Markurt, Toni; Bickermann, Matthias;
Tuomisto, Filip
journal applied physics, 2020
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
“
...Karjalainen, Antti;
Prozheeva
,
Vera
; Makkonen, Ilja; Guguschev, Christo; Markurt, Toni; Bickermann...
”
Hae kokoteksti
Hae kokoteksti
Hae kokoteksti
14
Unusual properties of the RY3 center in GaN
Reshchikov, M. A.; Sayeed, R. M.; Ozgur, U.; Demchenko, D. O.; McNamara, J. D.; Prozheeva; Tuomisto, F.; Helava, H.; Usikov, A.; Makarov, Yu
Physical Review B, American Physical Society, 2019
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
Tekijät:
';
“
...
Prozheeva
,
Vera
...
”
Hae kokoteksti
Hae kokoteksti
15
Vacancy defect formation in PA-MBE grown C-doped InN
Prozheeva, V.; Tuomisto, F.; Koblmüller, G.; Speck, J.S.; Knübel, A.; Aidam, R.
PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, WILEY-VCH VERLAG, 2014
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
Tekijät:
';
“
...
Prozheeva
,
Vera
...
”
Hae kokoteksti
×
Lataa...