15 years of the European Nuclear Education Network (ENEN Association)

Cizelj, Leon; Starflinger, Jörg; Decobert, Veronique; Bazargan-Sabet, Behrooz; Tuomisto, Filip; Coeck, Michèle; Anzieu, Pascal; Roberts, John; Wheldon, Tzanny Kokalova; Porras, Pedro Dieguez
American Society of Mechanical Engineers, 2018
A4 Artikkeli konferenssijulkaisussa

Acceptors in undoped GaSb; the role of vacancy defects

Kujala, Jiri; Slotte, J.; Tuomisto, F.
Journal of Physics: Conference Series, IOP Publishing Ltd., 2013
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Advanced techniques for characterization of ion beam modified materials

Zhang, Yanwen; Debelle, A.; Boulle, A.; Kluth, P.; Tuomisto, Filip
CURRENT OPINION IN SOLID STATE AND MATERIALS SCIENCE, Elsevier Limited, 2015
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Advances in positron annihilation spectroscopy of Si, Ge and their alloys

Slotte, J.; Tuomisto, F.
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Elsevier Limited, 2012
A2 Katsausartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Amphoteric Be in GaN Experimental Evidence for Switching between Substitutional and Interstitial Lattice Sites

Tuomisto, Filip; Prozheeva, Vera; Makkonen, Ilja; Myers, Thomas H.; Bockowski, Michal; Teisseyre, Henryk
PHYSICAL REVIEW LETTERS, American Physical Society, 2017
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Annealing effect on donor-acceptor interface and its impact on the performance of organic photovoltaic devices based on PSiF-DBT copolymer and C₆₀

Marchiori, C.F.N.; Yamamoto, N.A.D.; Matos, C.F.; Kujala, Jiri; Macedo, A.G.; Tuomisto, F.; Zarbin, A.J.G.; Koehler, M.; Roman, L.S.
APPLIED PHYSICS LETTERS, AMER INST PHYSICS, 2015
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Band-edge luminescence degradation by low energy electron beam irradiation in GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy in H2 and N 2 ambients

Nykänen, Henri; Suihkonen, Sami; Svensk, Olli; Sopanen, Markku; Tuomisto, Filip
Japanese Journal of Applied Physics, Japan Society of Applied Physics, 2013
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Calculation of positron annihilation characteristics of six main defects in 6H -SiC and the possibility to distinguish them experimentally

Linez, F.; Makkonen, I.; Tuomisto, F.
Physical Review B, American Physical Society, 2016
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Cation vacancies and electrical compensation in Sb-doped thin-film SnO₂ and ZnO

Korhonen, Esa; Prozheeva, V.; Tuomisto, F.; Bierwagen, O.; Speck, J.S.; White, M.E.; Galazka, Z.; Liu, H.; Izyumskaya, N.; Özgür, U.; Morkoç, H.
Semiconductor Science and Technology, IOP Publishing Ltd., 2015
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Characterisation and Control of Defects in Semiconductors

Tekijä: Tuomisto, Filip
Institution of engineering and technology, 2019
C2 Toimitettu kirja, kokoomateos, konferenssijulkaisu tai lehden erikoisnumero

Charge compensation mechanisms in U₁₋ₓGdₓO₂ and Th₁₋ₓGdₓO_2-x/2 studied by X-ray Absorption Spectroscopy

Bes, Rene; Pakarinen, Janne; Baena, Angela; Conradson, Steven; Verwerft, Marc; Tuomisto, Filip
JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS, ELSEVIER SCIENCE BV, 2017
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Charge transition level of GeP_b1 centers at interfaces of SiO₂/GeₓSi₁₋ₓ/SiO₂ heterostructures investigated by positron annihilation spectroscopy

Madia, O.; Segercrantz, N.; Afanasjev, V.; Stesmans, A.; Souriau, L.; Slotte, J.; Tuomisto, F.
Physica Status Solidi. B: Basic Research, Akademie Verlag GMBH, 2014
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Chemical analysis using coincidence Doppler broadening and supporting first-principles theory: applications to vacancy defects in compound semiconductors

Makkonen, I.; Rauch, C.; Maki, J. -M.; Tuomisto, F.
Physica b: condensed matter, 2012
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Compensating vacancy defects in Sn- and Mg-doped In₂O₃

Korhonen, E.; Tuomisto, F.; Bierwagen, O.; Speck, J.S.; Galazka, Z.
Physical Review B, American Physical Society, 2014
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Control of Vacancy Defects in Reactively Sputtered (Ag,Cu)(In,Ga)Se₂ Solar Cells

Farshchi, Rouin; Bailey, Jeff; Poplavskyy, Dmitry; Hickey, Benjamin; Spaulding, David; Kuan, En Tang; Khanam, Afrina; Tuomisto, Filip
Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, IEEE, 2019
A4 Artikkeli konferenssijulkaisussa

Defect activation in MOVPE GaN under low energy electron beam irradiation

Nykänen, Henri; Suihkonen, Sami; Kilanski, Lukasz; Sopanen, Markku; Tuomisto, Filip
2012
A4 Artikkeli konferenssijulkaisussa

Defect evolution and impurity migration in Na implanted ZnO

Neuvonen, P.T.; Vines, L.; Venkatachalapathy, V.; Zubiaga, A.; Tuomisto, F.; Hallén, A.; Svensson, B.G.; Kuznetsov, A.Yu
Physical Review B, American Physical Society, 2011
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Defect evolution and interplay in n-type InN

Rauch, C.; Tuomisto, F.; Vilalta-Clemente, A.; Lacroix, B.; Ruterana, P.; Kraeusel, S.; Hourahine, B.; Schaff, W.J.
APPLIED PHYSICS LETTERS, AMER INST PHYSICS, 2012
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Defect identification in semiconductors with positron annihilation: Experiment and theory

Tuomisto, Filip; Makkonen, Ilja
Reviews of modern physics, 2013
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Defect studies in MBE grown GaSb₁₋ₓBiₓ layers

Segercrantz, Natalie; Kujala, J.; Tuomisto, F.; Slotte, J.; Song, Y.; Wang, Shumin
AIP Conference Proceedings, American Institute of Physics, 2014
A4 Artikkeli konferenssijulkaisussa