Alkylsilyl compounds as enablers of atomic layer deposition:analysis of (Et3Si)(3)As through the GaAs process

Julkaisussa: Journal of Materials Chemistry. C
Tekijät: Sarnet, Tiina; Hatanpää, Timo; Laitinen, Mikko; Sajavaara, Timo; Mizohata, Kenichiro; Ritala, Mikko; Leskelä, Markku
Tekijöiden määrä: 7
Kieli: englanti
Julkaisutyyppi: A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
Julkaisufoorumiluokka : 1
JUFO-ID: 75355
Julkaisuvuosi: 2016
ISSN: 2050-7526
2050-7534
Emojulkaisun nimi: Journal of Materials Chemistry. C
Volyymi: 4
Numero: 3
Sivunumerot: 449 - 454
Tieteenala: Luonnontieteet
Kemia
Paikalliset tekijät ja heidän affiliaationsa: Mizohata, Kenichiro - Helsingin yliopisto
Leskelä, Markku - Helsingin yliopisto
Ritala, Mikko - Helsingin yliopisto
Sarnet, Tiina - Helsingin yliopisto
Hatanpää, Timo - Helsingin yliopisto
Laitinen, Mikko - Jyväskylän yliopisto
Sajavaara, Timo - Jyväskylän yliopisto
Sarja: journal materials chemistry c
Aiheet:
Linkit: https://dx.doi.org/10.1039/c5tc03079j
Organisaation sisäinen affiliaatio: Helsingin yliopisto, Matemaattis- luonnontieteellinen tiedekunta Jyväskylän yliopisto, Fysiikan laitos