0.6V threshold voltage thin film transistors with solution processable indium oxide (In₂O₃) Channel and Anodized High-κ Al₂O₃ Dielectric

Tekijät: Bhalerao, Sagar R.; Lupo, Donald; Zangiabadi, Amirali; Kymissis, Ioannis; Leppaniemi, Jaakko; Alastalo, Ari; Berger, Paul R.
Tekijöiden määrä: 7
Kieli: englanti
Julkaisutyyppi: A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
Julkaisufoorumiluokka : 2
JUFO-ID: 57393
Julkaisuvuosi: 2019
ISSN: 0741-3106
Volyymi: 40
Numero: 7
Sivunumerot: 1112 - 1115
Tieteenala: Tekniikka
Materiaalitekniikka
Paikalliset tekijät ja heidän affiliaationsa: Alastalo, Ari - Teknologian tutkimuskeskus VTT Oy
Leppaniemi, Jaakko - Teknologian tutkimuskeskus VTT Oy
Lupo, Donald - Tampereen yliopisto, Informaatioteknologian ja viestinnän tiedekunta
Berger, Paul R. - Tampereen yliopisto, Informaatioteknologian ja viestinnän tiedekunta
Bhalerao, Sagar R. - Tampereen yliopisto, Informaatioteknologian ja viestinnän tiedekunta
Sarja: ieee electron device letters
Aiheet:
TFT
Linkit: https://doi.org/10.1109/LED.2019.2918492
https://dx.doi.org/10.1109/LED.2019.2918492
Organisaation sisäinen affiliaatio: Tampereen yliopisto, Informaatioteknologian ja viestinnän tiedekunta