High-k GaAs metal insulator semiconductor capacitors passivated by ex-situ plasma-enhanced atomic layer deposited AlN for Fermi-level unpinning

Tekijät: Jussila, Henri; Mattila, Päivi; Oksanen, Jani; Perros, Alexander; Riikonen, Juha; Bosund, Markus; Varpula, Aapo; Huhtio, Teppo; Lipsanen, Harri; Sopanen, Markku
Tekijöiden määrä: 10
Kieli: englanti
Julkaisutyyppi: A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
Julkaisufoorumiluokka : 2
JUFO-ID: 51518
Julkaisuvuosi: 2012
ISSN: 0003-6951
Volyymi: 100
Numero: 7
Tieteenala: Luonnontieteet
Fysiikka
Paikalliset tekijät ja heidän affiliaationsa: Varpula, Aapo - Teknologian tutkimuskeskus VTT Oy
Perros, Alexander - Aalto-yliopisto
Lipsanen, Harri - Aalto-yliopisto
Jussila, Henri - Aalto-yliopisto
Oksanen, Jani - Aalto-yliopisto
Riikonen, Juha - Aalto-yliopisto
Sopanen, Markku - Aalto-yliopisto
Mattila, Päivi - Aalto-yliopisto
Huhtio, Teppo - Aalto-yliopisto
Sarja: applied physics letters
Aiheet:
Linkit: https://doi.org/10.1063/1.3687199
https://research.aalto.fi/files/14780500/1.3687199.pdf
https://dx.doi.org/10.1063/1.3687199
Organisaation sisäinen affiliaatio: Aalto-yliopisto, Department of Neuroscience and Biomedical Engineering Aalto-yliopisto, Department of Electronics & Nanoengineering