Interfacial N Vacancies in GaN/(Al,Ga)N/GaN Heterostructures
| Julkaisussa: | Physical Review Applied |
|---|---|
| Tekijät: | Prozheeva, Vera; Makkonen, Ilja; Li, Haoran; Keller, Stacia; Mishra, Umesh K.; Tuomisto, Filip |
| Tekijöiden määrä: | 6 |
| Kieli: |
englanti |
| Julkaisutyyppi: |
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä |
| Julkaisufoorumiluokka : | 2 |
| JUFO-ID: | 78788 |
| Julkaisuvuosi: |
2020 |
| ISSN: |
2331-7019 |
| Emojulkaisun nimi: |
Physical Review Applied |
| Volyymi: | 13 |
| Numero: | 4 |
| Sivunumerot: | 1 - 7 |
| Tieteenala: |
Luonnontieteet Fysiikka |
| Paikalliset tekijät ja heidän affiliaationsa: |
Tuomisto, Filip - Aalto-yliopisto Prozheeva, Vera - Aalto-yliopisto Tuomisto, Filip - Helsingin yliopisto Makkonen, Ilja - Helsingin yliopisto |
| Sarja: |
physical review applied |
| Aiheet: | |
| Linkit: |
http://hdl.handle.net/10138/314636 https://research.aalto.fi/files/42140733/PhysRevApplied.13.044034_1.pdf https://dx.doi.org/10.1103/PhysRevApplied.13.044034 |
| Organisaation sisäinen affiliaatio: |
Aalto-yliopisto, Department of Applied Physics Helsingin yliopisto, Matemaattis-luonnontieteellinen tiedekunta |