Interfacial N Vacancies in GaN/(Al,Ga)N/GaN Heterostructures

Julkaisussa: Physical Review Applied
Tekijät: Prozheeva, Vera; Makkonen, Ilja; Li, Haoran; Keller, Stacia; Mishra, Umesh K.; Tuomisto, Filip
Tekijöiden määrä: 6
Kieli: englanti
Julkaisutyyppi: A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
Julkaisufoorumiluokka : 2
JUFO-ID: 78788
Julkaisuvuosi: 2020
ISSN: 2331-7019
Emojulkaisun nimi: Physical Review Applied
Volyymi: 13
Numero: 4
Sivunumerot: 1 - 7
Tieteenala: Luonnontieteet
Fysiikka
Paikalliset tekijät ja heidän affiliaationsa: Tuomisto, Filip - Aalto-yliopisto
Prozheeva, Vera - Aalto-yliopisto
Tuomisto, Filip - Helsingin yliopisto
Makkonen, Ilja - Helsingin yliopisto
Sarja: physical review applied
Aiheet:
Linkit: http://hdl.handle.net/10138/314636
https://research.aalto.fi/files/42140733/PhysRevApplied.13.044034_1.pdf
https://dx.doi.org/10.1103/PhysRevApplied.13.044034
Organisaation sisäinen affiliaatio: Aalto-yliopisto, Department of Applied Physics
Helsingin yliopisto, Matemaattis-luonnontieteellinen tiedekunta