Ga vacancies and electrical compensation in β-Ga ₂ O ₃ thin films studied with positron annihilation spectroscopy
| Julkaisussa: | Oxide-Based Materials and Devices X |
|---|---|
| Tekijät: | Tuomisto, Filip; Karjalainen, Antti; Prozheeva, Vera; Makkonen, Ilja; Wagner, Gunter; Baldini, Michele |
| Tekijöiden määrä: | 6 |
| Kieli: |
englanti |
| Julkaisutyyppi: |
A4 Artikkeli konferenssijulkaisussa |
| Julkaisufoorumiluokka : | 0 |
| JUFO-ID: | 71479 |
| Julkaisija: | SPIE |
| Julkaisuvuosi: |
2019 |
| ISSN: |
0277-786X 1996-756X |
| Emojulkaisun nimi: |
Oxide-Based Materials and Devices X |
| Volyymi: | 10919 |
| Sivunumerot: | 1 - 8 |
| Tieteenala: |
Luonnontieteet Fysiikka |
| Paikalliset tekijät ja heidän affiliaationsa: |
Karjalainen, Antti - Aalto-yliopisto, Department of Applied Physics Tuomisto, Filip - Aalto-yliopisto, Department of Applied Physics Makkonen, Ilja - Aalto-yliopisto, Department of Applied Physics Prozheeva, Vera - Aalto-yliopisto, Department of Applied Physics |
| Sarja: |
Proceedings of SPIE |
| Aiheet: | |
| Linkit: |
https://research.aalto.fi/files/34203990/1091910.pdf https://dx.doi.org/10.1117/12.2518888 |
| Organisaation sisäinen affiliaatio: |
Aalto-yliopisto, Department of Applied Physics |