Ga vacancies and electrical compensation in β-Ga ₂ O ₃ thin films studied with positron annihilation spectroscopy

Julkaisussa: Oxide-Based Materials and Devices X
Tekijät: Tuomisto, Filip; Karjalainen, Antti; Prozheeva, Vera; Makkonen, Ilja; Wagner, Gunter; Baldini, Michele
Tekijöiden määrä: 6
Kieli: englanti
Julkaisutyyppi: A4 Artikkeli konferenssijulkaisussa
Julkaisufoorumiluokka : 0
JUFO-ID: 71479
Julkaisija: SPIE
Julkaisuvuosi: 2019
ISSN: 0277-786X
1996-756X
Emojulkaisun nimi: Oxide-Based Materials and Devices X
Volyymi: 10919
Sivunumerot: 1 - 8
Tieteenala: Luonnontieteet
Fysiikka
Paikalliset tekijät ja heidän affiliaationsa: Karjalainen, Antti - Aalto-yliopisto, Department of Applied Physics
Tuomisto, Filip - Aalto-yliopisto, Department of Applied Physics
Makkonen, Ilja - Aalto-yliopisto, Department of Applied Physics
Prozheeva, Vera - Aalto-yliopisto, Department of Applied Physics
Sarja: Proceedings of SPIE
Aiheet:
Linkit: https://research.aalto.fi/files/34203990/1091910.pdf
https://dx.doi.org/10.1117/12.2518888
Organisaation sisäinen affiliaatio: Aalto-yliopisto, Department of Applied Physics

Samankaltaisia teoksia