Open volume defects: positron annihilation spectroscopy

Julkaisussa: OXIDE SEMICONDUCTORS
Tekijä: Tuomisto, Filip
Tekijöiden määrä: 1
Kieli: englanti
Julkaisutyyppi: A3 Kirjan tai muun kokoomateoksen osa
Julkaisufoorumiluokka : 1
JUFO-ID: 66973
Julkaisija: Elsevier
Julkaisuvuosi: 2013
ISSN: 0080-8784
Emojulkaisun nimi: OXIDE SEMICONDUCTORS
Volyymi: 88
Sivunumerot: 39 - 65
Tieteenala: Luonnontieteet
Fysiikka
Paikalliset tekijät ja heidän affiliaationsa: Tuomisto, Filip - Aalto-yliopisto, Department of Applied Physics
Sarja: Semiconductors and Semimetals
Aiheet:
ZnO
Linkit: https://dx.doi.org/10.1016/B978-0-12-396489-2.00002-3
Organisaation sisäinen affiliaatio: Aalto-yliopisto, Department of Applied Physics