Open volume defects: positron annihilation spectroscopy
| Julkaisussa: | OXIDE SEMICONDUCTORS |
|---|---|
| Tekijä: | Tuomisto, Filip |
| Tekijöiden määrä: | 1 |
| Kieli: |
englanti |
| Julkaisutyyppi: |
A3 Kirjan tai muun kokoomateoksen osa |
| Julkaisufoorumiluokka : | 1 |
| JUFO-ID: | 66973 |
| Julkaisija: | Elsevier |
| Julkaisuvuosi: |
2013 |
| ISSN: |
0080-8784 |
| Emojulkaisun nimi: |
OXIDE SEMICONDUCTORS |
| Volyymi: | 88 |
| Sivunumerot: | 39 - 65 |
| Tieteenala: |
Luonnontieteet Fysiikka |
| Paikalliset tekijät ja heidän affiliaationsa: |
Tuomisto, Filip - Aalto-yliopisto, Department of Applied Physics |
| Sarja: |
Semiconductors and Semimetals |
| Aiheet: | |
| Linkit: |
https://dx.doi.org/10.1016/B978-0-12-396489-2.00002-3 |
| Organisaation sisäinen affiliaatio: |
Aalto-yliopisto, Department of Applied Physics |